Acélos új memória
Az amerikai Purdue Egyetem Birck Nanotechnológiai Központjának kutatói egy olyan új memóriatípuson dolgoznak, mely gyorsabb lehet, mint a jelenleg használatosak, s ráadásul a fogyasztása is jóval alacsonyabb.
A FeTRAM memória felépítésének vázlata.
Fotó: Birck Nanotechnology Center, Purdue University
Az új technológia szilikon nanovezetőket kombinál „ferroelektromos” polimerekkel, melyek elektromos tér hatására polaritást váltanak, lehetővé téve így egy új típusú ferroelektromos tranzisztor létrehozását. A ferroelektromos elem egyes polaritásállapotait felfoghatjuk úgy, mint nullás és egyes állapotot. Az ilyen elemek sokaságának felhasználásával lehetővé válik a digitális áramkörökben létrejövő bináris információ tárolására. Az új technológia neve FeTRAM lett, mely a „ferroelektromos tranzisztor és a véletlen elérésű memória (RAM)” angol megfelelőjének betűiből áll össze.
„Az elem működésének elméleti hátterét mi dolgoztuk ki, és a működéséhez kapcsolódó kísérleteket is mi végeztük el.” – nyilatkozta Saptarshi Das, az intézetben dolgozó doktorandusz hallgató. A kutatók a felfedezés részleteit az American Chemical Society Nano Letters című folyóiratában részletezik. „Habár a jelenlegi prototípus még több áramot fogyaszt, mint a manapság használatos eszközök, a következő generációs FeTRAM memóriák esetén ez az érték jelentősen csökkenni fog.” – mondta Das.
A FeTRAM technológia állandó tárolási képességekkel rendelkezik, azaz tartalma a számítógép kikapcsolásakor sem vész el (hasonlóan a flash memóriákhoz). Az így készült eszközök viszont a flash memóriáknál akár 99%-al alacsonyabb fogyasztásra is képesek lehetnek.
Az új memóriatípus a számítógépes memóriák mindhárom alapvető funkciójának megfelel: egyaránt alkalmas információk írására, olvasására, és ezek hosszú távú megőrzésére.
A FeTRAM technológia hasonlít a már létező FeRAM technológiához, ez utóbbi eszköz esetében azonban az adatok a kiolvasás után elvesznek. A FeTRAM memóriában lévő adatok ezzel szemben bármikor újra kiolvashatóak.
Az új technológia kompatibilis a számítógép-chipek fém-oxid félvezető (CMOS) alkatrészeinek gyártási technológiájával, így könnyen lehet, hogy a FeTRAM-ok néhány éven belül leváltják a jelenleg széles körben használatos egyéb memóriatípusokat.
Forrás: ScienceDaily